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明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。
一﹑河津矿用单模光缆MGTS33-4B1河津产品用途及特点
本产品适用于数据信号传输。
二﹑执行标准
参照UL AWM 2919文件
三、河津矿用单模光缆MGTS33-4B1河津使用特性
1.电缆长期使用温度：-40～70℃
2.环境温度：固定敷设-40℃非固定敷设-15℃。
3.电缆敷设温度： 不低于0℃
4.CAN通讯电缆型电缆弯曲半径应不小于电缆直径的10倍。
四、河津矿用单模光缆MGTS33-4B1河津型号、名称及用途
型号：ASTP-120
名称：聚乙绝缘聚氯乙护套钢带铠装屏蔽双绞线
用途：用于设备数据信号传输，使用或地下直埋固定敷设
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项目 |
单位 |
1.0mm2 |
1.5mm2 |
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20℃时导体直流电阻不大于 |
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